Top.Mail.Ru
IEC — страница 320 | Информпроект Групп
Продукты и решения
Нормативная база
Для специалистов
Сервисное сопровождение
О компании
Для дистрибьюторов
Технологии
Пресс-центр
Отзывы
Контакты
8-800-555-01-33
Звонок по России бесплатный
Более 25 000 000 актуальных правовых
и нормативно-технических документов
Найти документ

Каталог документов

IEC

Стандарты IEC из раздела международных и зарубежных документов.

Перейти к документам

Картотека

Документы раздела

Страница 320 · Показано документов: 20

  3. IEC

    IEC 60747-8-3-1995 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field effect transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел 3: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных полевых транзисторов для применения в переключателях

    НД 496013101

  5. IEC

    IEC 60747-8-2-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для полевых транзисторов для применения в корпусированных усилителях мощности

    НД 496013097

  6. IEC

    IEC 60747-8-1-1987 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section One: Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 8: Полевые транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для однозатворных полевых транзисторов до 5 Вт и 1 ГГц

    НД 496013095

  8. IEC

    IEC 60747-7-4-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Four: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел четыре: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях высокой частоты

    НД 496013091

  9. IEC

    IEC 60747-7-3-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section three: Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов для применения в переключателях

    НД 496013089

  11. IEC

    IEC 60747-7-2-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section Two: Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для корпусированных биполярных транзисторов для применения в усилителях низкой частоты

    НД 496013085

  12. IEC

    IEC 60747-7-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors - Section One: Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 7: Биполярные транзисторы - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для биполярных транзисторов с оценкой окружающей среды для применения в усилителях низкой и высокой частоты

    НД 496013083

  13. IEC

    IEC 60747-6-3-1993 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Three: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел три: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, для токов свыше 100 А

    НД 496013081

  15. IEC

    IEC 60747-6-2-1991 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section Two: Blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел два: Пустой технический спецификационный документ для би-направленных тиристоров (треугольников), с оценкой окружающей среды или корпусированных, до 100 А

    НД 496013077

  16. IEC

    IEC 60747-6-1-1989 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors - Section One: Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A Полупроводниковые устройства - Отдельные устройства - Часть 6: Тиристоры - Раздел один: Пустой технический спецификационный документ для тиристоров с обратным блокированием, с оценкой окружающей среды и корпусированных, до 100 А

    НД 496013075

  17. IEC

    IEC 60747-5-9-2019 Semiconductor devices - Part 5-9: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence Полупроводниковые устройства - Часть 5-9: Оптоэлектронные устройства - Лазерные диоды - Метод испытаний внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции

    НД 496013073